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AFV09P350-04GNR3

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AFV09P350-04GNR3

Solo por referencia

Nº de pieza AFV09P350-04GNR3
Fabricantes NXP
Descripción FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW
Hoja de datos

AFV09P350-04GNR3 Hoja de datos

Paquete OM-780G-4L
ECAD
En existencias 4.000 piece(s)
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Especificaciones AFV09P350-04GNR3

FabricantesNXP
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - RF
PaqueteOM-780G-4L
ECAD
Serie-
Tipo de transistorLDMOS (Dual)
Frecuencia920MHz
Ganancia19.5dB
Voltaje - Prueba48V
Valoración actual-
Figura de ruido-
Actual - Prueba860mA
Salida de potencia100W
Voltaje - Clasificación105V
Paquete / cajaOM-780G-4L
Paquete de dispositivo del proveedorOM-780G-4L

ficha técnica AFV09P350-04GNR3

AFV09P350-04GNR3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

AFV09P350-04GNR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that AFV09P350-04GNR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the AFV09P350-04GNR3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

AFV09P350-04GNR3

D# V36:1790_07185780

NXP Semiconductors

Trans RF FET N-CH 105V 5-Pin OM-780G EP T/R

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

AFV09P350-04GNR3

D# AFV09P350-04GNR3

NXP Semiconductors

Power LDMOS Transistor N-Channel 105V 4-Pin OM-780G T/R - Bulk (Alt: AFV09P350-04GNR3)

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

AFV09P350-04GNR3

D# 2156-AFV09P350-04GNR3-ND

Rochester Electronics LLC

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

253
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

AFV09P35004GNR3

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

255
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

AFV09P350-04GNR3

D# AFV09P350-04GNR

NXP Semiconductors

RF POWER TRANSISTOR

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Freescale Semiconductor

RF Power Field-Effect Transistor

RoHS: Compliant
253

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