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BSC882N03LSGATMA1

BSC882N03LSGATMA1

BSC882N03LSGATMA1

Solo por referencia

Nº de pieza BSC882N03LSGATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH TDSON-8
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 47.214 piece(s)
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Especificaciones BSC882N03LSGATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)34V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C100A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor-
Paquete / caja-

BSC882N03LSGATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSC882N03LSGATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSC882N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC882N03LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC882N03LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC882N03LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC882N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSC882N03LSGATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC882N03LSGATMA1?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC882N03LSGATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC882N03LSGATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC882N03LSGATMA1.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# V36:1790_06384706

Infineon Technologies AG

OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 34V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC882N03LSGATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# 2156-BSC882N03LSGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 34V TDSON-8-1

5000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# 2781055

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

LV POWER MOS

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LS G

D# 726-BSC882N03LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8

RoHS: Compliant
4998
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# 68AC4409

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:34V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power Dissipation Pd:-, Transistor Case Style:-, No. of RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
5000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5095
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# 53364235

Infineon Technologies AG

OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BSC882N03LSGATMA1

D# 2781055

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000

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