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BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1

Solo por referencia

Nº de pieza BUZ31H3046XKSA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Hoja de datos

BUZ31H3046XKSA1 Hoja de datos

Paquete TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
En existencias 5.552 piece(s)
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Especificaciones BUZ31H3046XKSA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C14.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)5V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1120pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 9A, 5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO262-3
Paquete / cajaTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

ficha técnica BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUZ31H3046XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# BUZ31H3046XKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin TO-262 Tube - Bulk (Alt: BUZ31H3046XKSA1)

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Infineon Technologies AG

MV POWER MOS - Rail/Tube

0
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D# 2156-BUZ31H3046XKSA1-IT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

8441
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

BUZ31H3046XKSA1

Rochester Electronics LLC

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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Infineon Technologies AG

BUZ31 - 120V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
8441
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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