| Nº de pieza | BUZ73ALHXKSA1 |
|---|---|
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-220-3 |
| ECAD |
|
| En existencias | 4.832 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | nov 28 - dic 3 (Elija envío expedito) |
| Pedir presupuesto |
|
| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-220-3 |
| ECAD |
|
| Serie | SIPMOS? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
|
1111Y3001P90BQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 1111, -, SIPMOS? | Ver |
|
VJ0603D2R4BLBAP | Vishay Vitramon, CAP CER 2.4PF 100V C0G/NP0 0603, 0603 (1608 Metric), SIPMOS? | Ver |
|
M55342H06B20D5RWI | Vishay Dale, RES SMD 20.5 OHM 1% 0.15W 0705, 0805 (2012 Metric), SIPMOS? | Ver |
|
RT0603CRC07150RL | Yageo, RES SMD 150 OHM 0.25% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), SIPMOS? | Ver |
|
|
RC0402F6810CS | Samsung, RESISTOR 01005 681OHM 0.031W, -, SIPMOS? | Ver |
|
EWT50JB5K00 | Stackpole Electronics Inc., RES CHAS MNT 5K OHM 5% 50W, Radial, Tubular, SIPMOS? | Ver |
|
|
ESQT-116-02-M-Q-650 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, SIPMOS? | Ver |
|
|
BCS-132-L-D-PE-056 | Samtec Inc., BOX CONNECTOR SOCKET STRIP, -, SIPMOS? | Ver |
|
|
93932-472HLF | Amphenol FCI, HEADER BERGSTIK, -, SIPMOS? | Ver |
|
|
8D525Z24BN | Souriau, 8D 24C 12#16 12#12 SKT PLUG, -, SIPMOS? | Ver |
|
|
8T020B41SN | Souriau, 8T 41C 41#20 SKT RECP, -, SIPMOS? | Ver |
|
|
VE-2TJ-IW-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W, Full Brick, SIPMOS? | Ver |
Garantizamos el 100% de satisfacción del cliente.
Nuestro experimentado equipo de ventas y nuestro equipo de soporte técnico respaldan nuestros servicios para satisfacer a todos nuestros clientes.
Ofrecemos 90 días de garantía.
Si los artículos que recibió no tenían la calidad perfecta, seremos responsables de su reembolso o reemplazo, pero los artículos deben devolverse en su estado original.
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BUZ73ALHXKSA1 D# BUZ73ALHXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-220 Tube - Bulk (Alt: BUZ73ALHXKSA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BUZ73ALHXKSA1 D# 2156-BUZ73ALHXKSA1-IT-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 |
5846 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BUZ73ALHXKSA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
6723 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BUZ73ALHXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A, 200V, 0.6ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
5846 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
¿Tienes alguna pregunta sobre BUZ73ALHXKSA1?
+86-755-83210559 ext. 813
Escanee para ver esta página
