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FQA5N90_F109

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Solo por referencia

Nº de pieza FQA5N90_F109
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
Hoja de datos

FQA5N90_F109 Hoja de datos

Paquete TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En existencias 7.072 piece(s)
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Especificaciones FQA5N90_F109

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieQFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C5.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 Ohm @ 2.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-3PN
Paquete / cajaTO-3P-3, SC-65-3

ficha técnica FQA5N90_F109

FQA5N90_F109 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA5N90_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P

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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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