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FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Solo por referencia

Nº de pieza FQA8N80C_F109
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
Hoja de datos

FQA8N80C_F109 Hoja de datos

Paquete TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En existencias 2.768 piece(s)
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Especificaciones FQA8N80C_F109

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieQFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2050pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55 Ohm @ 4.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-3PN
Paquete / cajaTO-3P-3, SC-65-3

ficha técnica FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FQA8N80C_F109 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA8N80C_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

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D# FQA8N80C_F109-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P

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Fairchild Semiconductor Corporation

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