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GA10JT12-263

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Solo por referencia

Nº de pieza GA10JT12-263
Fabricantes GeneSiC Semiconductor
Descripción TRANS SJT 1200V 25A
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 18.264 piece(s)
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Especificaciones GA10JT12-263

FabricantesGeneSiC Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FET-
TecnologíaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C25A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1403pF @ 800V
Vgs (Max)-
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 10A
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor-
Paquete / caja-

GA10JT12-263 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

GA10JT12-263 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA10JT12-263 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA10JT12-263. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA10JT12-263 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA10JT12-263 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GA10JT12-263 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA10JT12-263?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1.2KV 10A

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 1242-1186-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1200V 25A

170
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GENESIC SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

196
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GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant
0
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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V100m? TO-263-7

RoHS: Compliant
0
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D# GS0000000000006

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V100m? TO-263-7

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 08X5868

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-263, MOSFET Configuration:Single, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:10A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):-, No. of Pins:3Pins, Product Range:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1250
Container: Bulk
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

GA10JT12-263

GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

GA10JT12263

GeneSic Semiconductor Inc

OEM/CM ONLY

265
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

GA10JT12-263

D# 2362866

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0

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