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GA20JT12-263

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Nº de pieza GA20JT12-263
Fabricantes GeneSiC Semiconductor
Descripción TRANS SJT 1200V 45A
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 7.776 piece(s)
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Especificaciones GA20JT12-263

FabricantesGeneSiC Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FET-
TecnologíaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C45A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3091pF @ 800V
Vgs (Max)-
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 20A
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montaje-
Paquete de dispositivo del proveedor-
Paquete / caja-

GA20JT12-263 Packaging

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Packing
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GA20JT12-263 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA20JT12-263 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA20JT12-263. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA20JT12-263 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA20JT12-263 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GA20JT12-263 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA20JT12-263?
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TRANS SJT 1200V 45A D2PAK

134
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GENESIC SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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RoHS: Compliant
0
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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

RoHS: Compliant
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D# GS0000000000008

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

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