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IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G

Solo por referencia

Nº de pieza IPB019N08N3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Hoja de datos

IPB019N08N3 G Hoja de datos

Paquete TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
En existencias 2.592 piece(s)
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Especificaciones IPB019N08N3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds14200pF @ 40V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-7
Paquete / cajaTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

ficha técnica IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G Packaging

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Packing
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IPB019N08N3 G FAQ

  • 1. How to order IPB019N08N3 G on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB019N08N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB019N08N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB019N08N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB019N08N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB019N08N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB019N08N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB019N08N3 G?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB019N08N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB019N08N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# V72:2272_06377108

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GXT

D# IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB019N08N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# SP000444110

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000444110)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# C1S322000438053

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
512
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# IPB019N08N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

12881
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# 1775520

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
345
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Stock

792
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: No
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8120
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# 726-IPB019N08N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
716

IPB019N08N3 G

D# 726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
1637
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# 60R2644

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 80V, 180A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.0016ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
345
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

808
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# 51440245

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N08N3GATMA1

D# 1775520

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
345

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