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IPB038N12N3 G

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IPB038N12N3 G

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Nº de pieza IPB038N12N3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Hoja de datos

IPB038N12N3 G Hoja de datos
Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 47.004 piece(s)
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Especificaciones IPB038N12N3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs211nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds13800pF @ 60V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-2
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB038N12N3 G

IPB038N12N3 G Packaging

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Packing
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IPB038N12N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB038N12N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB038N12N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB038N12N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB038N12N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB038N12N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB038N12N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB038N12N3 G?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB038N12N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB038N12N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPB038N12N3 G pin diagram, IPB038N12N3 G datasheet?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# V72:2272_06377059

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# IPB038N12N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB038N12N3GATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# SP000694160

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000694160)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# IPB038N12N3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK

 2
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 2212825RL

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 120A, TO263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 120 V 3.8 mOhm 158 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1735
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 726-IPB038N12N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 419

IPB038N12N3 G

D# 726-IPB038N12N3GXT

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 1053
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 47W3464

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 120V, 120A, TO263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:120V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0032ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1061
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 7545437P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 120 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB038N12N3GATMA1, RL

Min Qty: 1
Container: Reel
 4436
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 2531
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 42245993

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB038N12N3GATMA1

D# 2212825

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 120A, TO263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1361

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