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IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G

Solo por referencia

Nº de pieza IPB083N10N3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Hoja de datos

IPB083N10N3 G Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 17.958 piece(s)
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Especificaciones IPB083N10N3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 75µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3980pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3 mOhm @ 73A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-2
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G Packaging

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Sealing
Packing
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IPB083N10N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB083N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB083N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB083N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB083N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB083N10N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB083N10N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB083N10N3 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPB083N10N3 G pin diagram, IPB083N10N3 G datasheet?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# V72:2272_06383633

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GXT

D# IPB083N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB083N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0

IPB083N10N3GATMA1

D# 47Y8048

Infineon Technologies AG

- Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 47Y8048)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

D# SP000458812

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000458812)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

3000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# IPB083N10N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

19
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

27209

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

2500
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# 2443432RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

26
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1160

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40345
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

26684

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

551
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# 47Y8048

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:80A, On Resistance Rds(on):0.0072ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3 G

D# NS-IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

6265
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 80A I(D), 100V, 0.0083OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

62
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# 8977361P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 8
Container: Reel
752
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

7016

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1228
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

26669

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

546
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IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

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231

IPB083N10N3 G

TRENDCHIP

shipping today

10447
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# 35173155

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

mfr

RFQ

3425
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

46684
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB083N10N3GATMA1

D# 2443432

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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