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IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

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Nº de pieza IPB60R099C7ATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 600V TO263-3
Hoja de datos

IPB60R099C7ATMA1 Hoja de datos
Paquete TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
En existencias 7.552 piece(s)
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Especificaciones IPB60R099C7ATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C22A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 490µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1819pF @ 400V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 9.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-3
Paquete / cajaTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

ficha técnica IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB60R099C7ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB60R099C7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB60R099C7ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB60R099C7ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB60R099C7ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB60R099C7ATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB60R099C7ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB60R099C7ATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# E02:0323_09406546

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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D# IPB60R099C7ATMA1

 Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_NEW - Bulk (Alt: IPB60R099C7ATMA1)

RoHS: Compliant
 0
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D# SP001297998

 Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_NEW (Alt: SP001297998)

RoHS: Compliant
 0
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D# IPB60R099C7ATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

 846
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 Infineon Technologies AG

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 130
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D# 3227632

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 830
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1160
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D# 726-IPB60R099C7ATMA1

 Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_NEW

RoHS: Compliant
 828
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D# 39AH8899

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W ROHS COMPLIANT: YES

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 780
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB60R099C7ATMA1

 Infineon Technologies AG

IPB60R099 - 22A, 600V, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
 60
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB60R099C7ATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 948
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D# 24260181

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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D# 3227632

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W

RoHS: Compliant
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