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IPD30N06S2L23ATMA3

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IPD30N06S2L23ATMA3

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Nº de pieza IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Hoja de datos

IPD30N06S2L23ATMA3 Hoja de datos
Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 45.576 piece(s)
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Especificaciones IPD30N06S2L23ATMA3

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1091pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 22A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO252-3-11
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3 Packaging

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Packing
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IPD30N06S2L23ATMA3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S2L23ATMA3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD30N06S2L23ATMA3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD30N06S2L23ATMA3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD30N06S2L23ATMA3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD30N06S2L23ATMA3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD30N06S2L23ATMA3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPD30N06S2L23ATMA3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V72:2272_06384866

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# IPD30N06S2L23ATMA3

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD30N06S2L23ATMA3)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# SP001061286

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001061286)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# C1S322000461167

 Infineon Technologies AG

MOSFET

Min Qty: 5
Container: Cut Tape
 214
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

 Infineon Technologies AG

N-Channel 55V 30A(Tc) 2V @ 50uA 23mohms @ 22A,10V 100W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

 96
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

 764
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# 2709861

 Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 2041
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 3496
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD30N06S2L23ATMA3

D# 726-IPD30N06S2L23AT3

 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

RoHS: Compliant
 106
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 12AC9710

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, 175DEG C, 100W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:55V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.0159ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 266
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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D# 43697377

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Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252

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