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IPU64CN10N G

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Solo por referencia

Nº de pieza IPU64CN10N G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Hoja de datos

IPU64CN10N G Hoja de datos

Paquete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
En existencias 7.072 piece(s)
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Especificaciones IPU64CN10N G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C17A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds569pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs64 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO251-3
Paquete / cajaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ficha técnica IPU64CN10N G

IPU64CN10N G Packaging

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Packing
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IPU64CN10N G FAQ

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  • 3. Are the IPU64CN10N G price and inventory displayed accurate?
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