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IRF7379TR

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Solo por referencia

Nº de pieza IRF7379TR
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Hoja de datos IRF7379TR Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
En existencias 48.814 piece(s)
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Especificaciones IRF7379TR

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Hoja de datos IRF7379TRHoja de datos
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieHEXFET?
Tipo de FETN and P-Channel
Característica FETStandard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
Potencia - Max2.5W
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO

ficha técnica IRF7379TR

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