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IRF7779L2TR1PBF

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Solo por referencia

Nº de pieza IRF7779L2TR1PBF
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Hoja de datos

IRF7779L2TR1PBF Hoja de datos

Paquete DirectFET? Isometric L8
ECAD
En existencias 4.960 piece(s)
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Especificaciones IRF7779L2TR1PBF

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteDirectFET? Isometric L8
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C375A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds6660pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorDIRECTFET L8
Paquete / cajaDirectFET? Isometric L8

ficha técnica IRF7779L2TR1PBF

IRF7779L2TR1PBF Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IRF7779L2TR1PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7779L2TR1PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8

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Container: Reel
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