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IRF7807

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Nº de pieza IRF7807
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Hoja de datos IRF7807 Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
En existencias 1.339 piece(s)
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Especificaciones IRF7807

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Hoja de datos IRF7807Hoja de datos
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)��12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica IRF7807

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