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N0601N-ZK-E1-AY

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N0601N-ZK-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza N0601N-ZK-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Hoja de datos

N0601N-ZK-E1-AY Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 4.976 piece(s)
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Especificaciones N0601N-ZK-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C100A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs133nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds7730pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-263
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY Packaging

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Packing
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N0601N-ZK-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that N0601N-ZK-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R (Alt: N0601N-ZK-E1-AY)

0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

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Renesas Electronics Corporation

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