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NP75P03YDG-E1-AY

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NP75P03YDG-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza NP75P03YDG-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Hoja de datos

NP75P03YDG-E1-AY Hoja de datos

Paquete 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
En existencias 5.232 piece(s)
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Especificaciones NP75P03YDG-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs141nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds4800pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 37.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-HSON
Paquete / caja8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

ficha técnica NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NP75P03YDG-E1-AY FAQ

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Renesas Electronics Corporation

Transistor MOSFET P-CH 30V 75A 8-Pin HSON T/R - Tape and Reel (Alt: NP75P03YDG-E1-AY)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Renesas Electronics Corporation

SINGLE MOSFET, PCH, 30V, HSON8 - Tape and Reel

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# NP75P03YDG-E1-AYTR-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

0
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Renesas Electronics Corporation

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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