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RJL5012DPE-00#J3

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RJL5012DPE-00#J3

Solo por referencia

Nº de pieza RJL5012DPE-00#J3
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Hoja de datos

RJL5012DPE-00#J3 Hoja de datos

Paquete SC-83
ECAD
En existencias 6.160 piece(s)
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Especificaciones RJL5012DPE-00#J3

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSC-83
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs27.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor4-LDPAK
Paquete / cajaSC-83

ficha técnica RJL5012DPE-00#J3

RJL5012DPE-00#J3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RJL5012DPE-00#J3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RJL5012DPE-00#J3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET - Tape and Reel

0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

0
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D# NS-RJL5012DPE-00#J3

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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