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RJL5014DPK-00#T0

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RJL5014DPK-00#T0

Solo por referencia

Nº de pieza RJL5014DPK-00#T0
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
Hoja de datos

RJL5014DPK-00#T0 Hoja de datos

Paquete TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En existencias 6.368 piece(s)
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Especificaciones RJL5014DPK-00#T0

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C19A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 9.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-3P
Paquete / cajaTO-3P-3, SC-65-3

ficha técnica RJL5014DPK-00#T0

RJL5014DPK-00#T0 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET - Rail/Tube

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# RJL5014DPK-00#T0-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 500V 19A TO3P

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# NS-RJL5014DPK-00#T0

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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