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RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Solo por referencia

Nº de pieza RQ3E150MNTB1
Fabricantes Rohm Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
Hoja de datos
Paquete 8-PowerVDFN
ECAD
En existencias 3.504 piece(s)
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Especificaciones RQ3E150MNTB1

FabricantesRohm Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-PowerVDFN
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C15A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-HSMT (3.2x3)
Paquete / caja8-PowerVDFN

RQ3E150MNTB1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RQ3E150MNTB1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RQ3E150MNTB1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RQ3E150MNTB1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RQ3E150MNTB1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RQ3E150MNTB1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RQ3E150MNTB1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RQ3E150MNTB1?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
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 3540
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D# NS-RQ3E150MNTB1

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 3069
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