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SI1073X-T1-E3

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SI1073X-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1073X-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Hoja de datos

SI1073X-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-563, SOT-666
ECAD
En existencias 6.272 piece(s)
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Especificaciones SI1073X-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C-
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs9.45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds265pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs173 mOhm @ 980mA, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-6
Paquete / cajaSOT-563, SOT-666

ficha técnica SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1073X-T1-E3 FAQ

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