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SI1413EDH-T1-E3

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SI1413EDH-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1413EDH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Hoja de datos

SI1413EDH-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 632.736 piece(s)
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Especificaciones SI1413EDH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 100µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs115 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ficha técnica SI1413EDH-T1-E3

SI1413EDH-T1-E3 Packaging

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SI1413EDH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1413EDH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1413EDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1413EDH-T1-E3?
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MOSFET, P-CH 20V@2.5VGS ESD Protected

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.9A, SC-70, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.9A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):115mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-450mV , RoHS Compliant: Yes

2735
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D# SI1413EDH-T1-E3TR-ND

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MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.9A, SC-70

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