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SI1473DH-T1-E3

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SI1473DH-T1-E3

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Nº de pieza SI1473DH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
Hoja de datos

SI1473DH-T1-E3 Hoja de datos
Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 46.440 piece(s)
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Especificaciones SI1473DH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds365pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ficha técnica SI1473DH-T1-E3

SI1473DH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1473DH-T1-E3 FAQ

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P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.6A, SC-70, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:1.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):145mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:-3V , RoHS Compliant: Yes

 0
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D# SI1473DH-T1-E3TR-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

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