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SI2316DS-T1-E3

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SI2316DS-T1-E3

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Nº de pieza SI2316DS-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Hoja de datos

SI2316DS-T1-E3 Hoja de datos
Paquete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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En existencias 1.380.708 piece(s)
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Especificaciones SI2316DS-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.9A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-23-3 (TO-236)
Paquete / cajaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ficha técnica SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI2316DS-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2316DS-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2316DS-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2316DS-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2316DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2316DS-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

 0
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SILICONIX

 0
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 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
 0
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D# SI2316DS-T1-E3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# 781-SI2316DS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

RoHS: Compliant
 4545
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D# 85W2139

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

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D# 15AC0292

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 3000
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SI2316DS-T1-E3

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 Vishay Semiconductors

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.9A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236

 6752
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 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 25338
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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
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 Coilcraft Inc

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D# 35308905

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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 Vishay Siliconix

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