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SI3441BDV-T1-E3

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SI3441BDV-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI3441BDV-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
Hoja de datos

SI3441BDV-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificaciones SI3441BDV-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.45A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor6-TSOP
Paquete / cajaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

ficha técnica SI3441BDV-T1-E3

SI3441BDV-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI3441BDV-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3441BDV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3441BDV-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3441BDV-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3441BDV-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3441BDV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3441BDV-T1-E3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# 70026099

Vishay Siliconix

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.07Ohm,ID -2.45A,TSOP-6,PD 0.86W,VGS +/-8V

RoHS: Not Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

2900
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Vishay Siliconix

Min Qty 8

19945
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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.45A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

SI3441BDV-T1-E3

D# SI3441BDV-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP

0
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VIS

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

10710
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Vishay Intertechnologies

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45000
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D# NS-SI3441BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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Vishay Semiconductors

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.45A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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Vishay Huntington

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MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

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