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SI4102DY-T1-E3

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SI4102DY-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI4102DY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4102DY-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 184.788 piece(s)
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Especificaciones SI4102DY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C3.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds370pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs158 mOhm @ 2.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4102DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4102DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4102DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4102DY-T1-E3?
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
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D# SI4102DY-T1-E3-ND

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MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO

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