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SI4403BDY-T1-E3

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SI4403BDY-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI4403BDY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4403BDY-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 686.964 piece(s)
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Especificaciones SI4403BDY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C7.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI4403BDY-T1-E3 FAQ

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  • 3. Are the SI4403BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4403BDY-T1-E3?
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2500
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Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant
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