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SI7212DN-T1-GE3

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SI7212DN-T1-GE3

Solo por referencia

Nº de pieza SI7212DN-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Hoja de datos

SI7212DN-T1-GE3 Hoja de datos

Paquete PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
En existencias 161.460 piece(s)
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Especificaciones SI7212DN-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
PaquetePowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
Serie-
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potencia - Max1.3W
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / cajaPowerPAK? 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedorPowerPAK? 1212-8 Dual

ficha técnica SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI7212DN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7212DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7212DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7212DN-T1-GE3?
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D# V72:2272_09216299

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant
0
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D# SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7212DN-T1-GE3)

0
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D# SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7212DN-T1-GE3)

0
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Vishay Intertechnologies

94
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

0
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

DualN-Channel -30V 4.9A 1.6V @ 250uA 36mohms @ 6.8A,10V 1.3W PowerPAK 1212-8 MOSFET RoHS

83
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SI7212DN-T1-GE3

D# SI7212DN-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

1017
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Vishay Intertechnologies

In stock shipping within 2days

3000
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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SI7212DNT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11900
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Huntington

In Stock

94
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SI7212DN-T1-GE3

D# C143766

Vishay Intertechnologies

83
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

88000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

SI7212DN-T1-GE3

D# 781-SI7212DN-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

RoHS: Compliant
2908
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

SI7212DN-T1-GE3

D# 18X0020

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.9A, POWERPAK, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:600mVRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0

SI7212DN-T1-GE3.

D# 30AC0188

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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SI7212DN-T1-GE3

D# NS-SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6089
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SI7212DNT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

1199
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Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

87985
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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

pbFree: Pb-Free
0
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SI7212DN-T1-GE3

D# 34655291

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant
0

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