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SIB437EDKT-T1-GE3

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SIB437EDKT-T1-GE3

Solo por referencia

Nº de pieza SIB437EDKT-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Hoja de datos SIB437EDKT-T1-GE3 Hoja de datos
Paquete PowerPAK? TSC-75-6
En existencias 798 piece(s)
Precio unitario $ 0,2080 *
Plazo de ejecución Se puede enviar inmediatamente
Tiempo estimado de entrega sep 21 - sep 26 (Elija envío expedito)
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Especificaciones SIB437EDKT-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Hoja de datos SIB437EDKT-T1-GE3Hoja de datos
PaquetePowerPAK? TSC-75-6
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)��5V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPowerPAK? TSC75-6
Paquete / cajaPowerPAK? TSC-75-6

ficha técnica SIB437EDKT-T1-GE3

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