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| Nº de pieza | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| En existencias | 114.066 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | ene 4 - ene 9 (Elija envío expedito) |
| Pedir presupuesto |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Vishay Siliconix |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1930pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK? SO-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK? SO-8 |
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637E11003C2T | CTS-Frequency Controls, OSC LVPECL SMD, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | Ver |
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SIT8208AC-8F-33E-8.000000Y | SiTime, OSC MEMS 8.0000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Ver |
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0805Y0630331FQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0805, -, TrenchFET? | Ver |
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1812J0100390KCR | Knowles Syfer, CAP CER 39PF 10V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | Ver |
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ECA-2EM100B | Panasonic Electronic Components, CAP ALUM 10UF 20% 250V RADIAL, Radial, Can, TrenchFET? | Ver |
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CAX809LTBI-T3 | ON Semiconductor, IC SUPERVISOR PP ACT LOW SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, TrenchFET? | Ver |
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SN74ALVC08IDREP | Texas Instruments, IC GATE AND 4CH 2-INP 14-SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | Ver |
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EXB-28V300JX | Panasonic Electronic Components, RES ARRAY 4 RES 30 OHM 0804, 0804, Convex, Long Side Terminals, TrenchFET? | Ver |
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55508-130LF | Amphenol FCI, CONN RECEPT 30POS 2MM STR DL SMD, -, TrenchFET? | Ver |
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EHT-105-01-S-D-SM-09 | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, TrenchFET? | Ver |
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6-103635-1 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN HEADER RT/A .100 12POS 15AU, -, TrenchFET? | Ver |
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VOF-150-5 | CUI Inc., AC/DC CONVERTER 5V 90W, -, TrenchFET? | Ver |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# V72:2272_09216058 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR882DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 |
1469 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
1196 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# 1859000RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DPT1GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# 78-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts RoHS: Compliant
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13625 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# 94T2661 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 100V, 60A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0071ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# NS-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
21017 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 100V, 0.0087OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
32 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3108 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts pbFree: Pb-Free
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SIR882DP-T1-GE3 D# 45527400 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
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