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SPD30N06S2L-13

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SPD30N06S2L-13

Solo por referencia

Nº de pieza SPD30N06S2L-13
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Hoja de datos

SPD30N06S2L-13 Hoja de datos

Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 377.688 piece(s)
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Especificaciones SPD30N06S2L-13

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 80µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorP-TO252-3
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica SPD30N06S2L-13

SPD30N06S2L-13 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SPD30N06S2L-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPD30N06S2L-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPD30N06S2L-13. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPD30N06S2L-13 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPD30N06S2L-13 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPD30N06S2L-13 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPD30N06S2L-13?
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

0
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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

RoHS: Not Compliant
0
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D# SPD30N06S2L-13-ND

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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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