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STW11NB80

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Nº de pieza STW11NB80
Fabricantes STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Hoja de datos

STW11NB80 Hoja de datos

Paquete TO-247-3
ECAD
En existencias 107.148 piece(s)
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Especificaciones STW11NB80

FabricantesSTMicroelectronics
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
ECAD
SeriePowerMESH?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247-3
Paquete / cajaTO-247-3

ficha técnica STW11NB80

STW11NB80 Packaging

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Sealing
Packing
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STW11NB80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW11NB80 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STW11NB80 price and inventory displayed accurate?
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