| Nº de pieza | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Hoja de datos | |
| Paquete | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
|
| En existencias | 60.000 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Se puede enviar inmediatamente |
| Tiempo estimado de entrega | abr 28 - may 3 (Elija envío expedito) |
| Pedir presupuesto |
|
| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
|
CM309E5333000CBQT | Citizen Finedevice Co Ltd, CRYSTAL 5.3330MHZ 10PF SMD, 4-SOJ, 9.60mm pitch, U-MOSVIII-H | Ver |
|
1812Y5000181KXT | Knowles Syfer, CAP CER 180PF 500V X7R 1812, 1812 (4532 Metric), U-MOSVIII-H | Ver |
 
|
SI4410DYTRPBF | Infineon Technologies, MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), U-MOSVIII-H | Ver |
|
CRCW2512330KJNTH | Vishay Dale, RES SMD 330K OHM 5% 1W 2512, 2512 (6432 Metric), U-MOSVIII-H | Ver |
|
|
2150R-26J | API Delevan Inc., FIXED IND 12UH 560MA 450 MOHM TH, Axial, U-MOSVIII-H | Ver |
|
1-111504-7 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN PLUG 20POS UNIV I/O NO EARS, -, U-MOSVIII-H | Ver |
|
|
951418-2011609-AR-TP | 3M, CONN HDR STR STACK 18POS 2MM SMD, -, U-MOSVIII-H | Ver |
|
|
SS-73100-003 | Stewart Connector, CONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED, -, U-MOSVIII-H | Ver |
|
|
D38999/23HE99CE | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/23HE99CE, -, U-MOSVIII-H | Ver |
|
|
MS3102E24-10P | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS, -, U-MOSVIII-H | Ver |
|
R0.5S-0515/HP-R | Recom Power, 0.5W DC/DC-CONVERTER ECONOLINE, 8-SMD Module, 5 Leads, U-MOSVIII-H | Ver |
|
EP20K400BC652-1XV | Intel, IC FPGA 502 I/O 652BGA, 652-BGA, U-MOSVIII-H | Ver |
Garantizamos el 100% de satisfacción del cliente.
Nuestro experimentado equipo de ventas y nuestro equipo de soporte técnico respaldan nuestros servicios para satisfacer a todos nuestros clientes.
Ofrecemos 90 días de garantía.
Si los artículos que recibió no tenían la calidad perfecta, seremos responsables de su reembolso o reemplazo, pero los artículos deben devolverse en su estado original.
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q D# V36:1790_13897535 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q D# TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN1110ENH,L1Q) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q(M D# TPN1110ENH,L1Q(M |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON (Alt: TPN1110ENH,L1Q(M) RoHS: Compliant
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q(M D# C1S751201247919 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET RoHS: Not Compliant
pbFree: No
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
5000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q D# TPN1110ENHL1QCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
9190 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM Immediate delivery |
4985 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
IN stock Immediate delivery |
5000 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV pbFree: Pb-Free
|
0 |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET TRANS POWER MOSFET pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TPN1110ENH,L1Q(M D# 46665001 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
|
0 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
¿Tienes alguna pregunta sobre TPN1110ENH,L1Q?
86-755-83210559-843
Escanee para ver esta página
