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IPB029N06N3 G

IPB029N06N3 G

IPB029N06N3 G

Solo por referencia

Nº de pieza IPB029N06N3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Hoja de datos

IPB029N06N3 G Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 6.512 piece(s)
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Especificaciones IPB029N06N3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 118µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-2
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB029N06N3 G

IPB029N06N3 G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IPB029N06N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB029N06N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB029N06N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB029N06N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB029N06N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB029N06N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB029N06N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB029N06N3 G?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB029N06N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB029N06N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPB029N06N3 G pin diagram, IPB029N06N3 G datasheet?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# V72:2272_06383202

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# C1S322000241484

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
492
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# IPB029N06N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# 2617425

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
386
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 2.9 mOhm 124 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17400
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# 97Y1820

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
180
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# 9140185

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB029N06N3GATMA1, PK

Min Qty: 10
Container: Package
1710
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

481
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# 43696534

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB029N06N3GATMA1

D# 2617425

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
370

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